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单模垂直腔面发射半导体激光器

单模垂直腔面发射半导体激光器


应用领域光通信;原子钟;科研应用。

技术特点低阈值电流、高效率、高波长稳定性、高可靠性

性能指标

中心波长(nm)

850

795

894

输出功率(mW)

5~50

0.1~2

0.1~5

中心波长偏差(nm)

±5

±3

±3

光谱宽度(nm)(FWHM)

<1

<1

<1

光束发散角(degree)(FWHM)

15

15

<15

波长漂移系数(nm/)

<0.1

<0.1

<0.1

电光转换效率(%)

>20

>12

>12

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